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半导体行业(芯片制造)

西安三星FAB栋通风工程项目

承建时间:2013/06/01-2013/12/31

建筑面积:36.4(万平方米)

洁净面积:15.5(万平方米)

洁净级别:千级

承包范围:FAB栋风管安装(EAST,NORTH)镀铝锌风管、特氟龙风管、FM-PVC风管安装、调试。

项目亮点:12英寸闪存芯片项目,FAB是西安三星项目部接触的主体建筑,FAB栋南北跨度406m,东西跨度192m,共四层,三层为wafer的工艺生产区域,是当时单体建筑最大的厂房。西安三星半导体工程属国家级项目,公司参与建设FAB栋通风工程为主厂房重要系统,通过公司的努力,获得“国家优质工程奖”。

 

项目高清效果图(鸟瞰图)

 

项目高清效果图(鸟瞰图)

项目所获奖项

2016-2017年度国家优质工程奖

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